在持续缺货和价格上涨的背景下，近日半导体市场研究机构IC Insights发布的最新报告预测，2018年全球DRAM芯片产业增幅超过30%，总产值将突破1000亿美元大关，以24%的市场份额继续稳居IC产品市场规模第一。作为DRAM市场占有率最高的三星，已经在去年成功超越英特尔坐上半导体龙头宝座的三星能否因此保持霸主地位？

　　   IC产业单个领域产值首次突破1000亿美元

　　三星能坐稳半导体龙头的宝座吗？

　　因此，三星能否在半导体龙头宝座上坐稳，存储芯片就成为了关键。我们从替代技术和市场两方面去寻找答案。内基梅隆大学的研究者 Kevin Chang 指出：“过去二十年来，基于DRAM 的计算机内存的存取带宽已经提升了20倍，容量增长了128倍，但延迟表现仅有 1.3 倍的提升。”

　　如今的计算机需要大量高速度、高容量的内存才能保证持续运转，尤其是工作重心是内存数据库、数据密集型分析以及越来越多的机器学习和深度神经网络训练功能的数据中心服务器。尽管研究人员已经在寻找更好、更快的替代技术上努力了很多年，但在性能优先的任务上，DRAM仍旧是人们普遍采用的选择，这有助于解释2017年的DRAM销量激增。

　　另外，DRAM 被认为是一个成熟的技术，虽快但功率需求大，当前或未来有望替代 DRAM 的技术有很多，如3D XPoint、MRAM、ReRAM，但专家们似乎认为这些技术还没有替代 DRAM 的性价比优势。DRAM也有技术上规划的改进方案以及HBM2和Hybrid Memory Cube等新型DRAM架构，需要指出的是DRAM和CPU之间的速度差距依然还是存在。

　　需求方面，过去两年由于需求的一直增长，但制造商的产能提升有限。从事DRAM和NAND研究的DRAMeXchange报道，由于三星，SK海力士和美光等主要制造商的产能投资需要时间，今年存储器产能只增长了19.6%，达到历史新低。

　　DRAMeXchange的数据同时预测，2018年DRAM芯片需求预计将增长30％以上。由于制造商专注于满足智能手机和数据中心的需求，因此今年DRAM市场的供应将继续受到限制。因此，无论是从替代的技术还是市场需求来看，DRAM的增长动力并未有减弱的迹象，并且三星也在积极推出新产品。

　　了解到，上月三星电子宣布首发量产8Gb LPDDR5颗粒，速率可达6400Mbps，比现有LPDDR4-4266内存快50%，同时功耗降低30%。不过需要指出的是，宣传上三星表示8Gb LODDR5采用10nm级别的工艺，但10nm级并不是10nm工艺，结合此前发布的产品应该还是18nm工艺。