2016年智能设备延续去年炎热势头，市场潜能不可谓不庞大，底层技术决定应用层面，任何行业的应用领域的加速发展都离不开底层技术的推波助澜，从底层技术来讲，智能设备未来将聚集哪些关键元件？

计算和通信芯片技术升级路径明确

智能机产品在多模多频、八核64位、大屏超薄、窄边框等高规格普及的情况下，开始转向细节优化与基础性能升级，上游的计算通信、存储传感、输入输出等关键元器件成为业界关注的焦点。

164位成为AP基础架构，结合并行计算全面提升性能。64位架构自2013年由苹果引入，目前已经成为AP主流架构，2015年国内外企业推出的主流平台均是基于64位架构实现，并结合big。LITTLE并行技术实现性能和功耗间的平衡。国内目前只有海思推出了基于A53架构的八核AP芯片麒麟620和930，并获得ARM新近发布的A72架构授权。未来AP芯片的重点是与其他芯片协同优化，并结合先进制造工艺升级演进。

5G商用前，LTE多模多频仍是通信芯片的发展重点。目前全球的主要芯片企业均已实现五模产品布局，支持载波聚合程度也愈来愈高，如高通、三星均实现了对cat10的支持。国内的海思已基本接近领先水平，针对开放市场的展讯和联芯也在逐渐发展。此外，射频及前端随移动通信技术的升级日趋复杂。射频芯片多数由高通、MTK等主控芯片企业同步提供，滤波器市场超过70%的份额由日本村田掌控，天线开关基本由TriQuint、Skyworks、RFMD提供。未来随着射频及前端一体化解决方案不断增多，主控芯片企业集成竞争优势将快速显现。

移动存储芯片设计制造一体化趋势明显

移动DRAM市场呈现国际三大厂、台湾众小厂的格局。2015年第一季度，全球DRAM市场总营收达120。1亿美元，其中三星、SK海力士、美光合计占据92。8%的市场份额。移动DRAM总营收达35。8亿美元，占整体营收比例为30%，已成为DRAM市场的主流产品，其中三大巨头分别占据52。1%、22。9%和22。6%的市场份额，三星寡头垄断地位明显。LPDDR4将成为移动DRAM的主流标准，规模普及需要2——3年的时间。LPDDR4在提升频率、性能和吞吐能力的同时降低了功耗，其数据传输速度是LPDDR3的2倍，功耗可节省40%。能够更好地支持内存敏感型游戏、120fps慢动作视频以及2K或4K级别的视频录制，已成为三星GalaxyS6/Edge、小米Note高配版、LGGFlex2等旗舰手机的首选。当前主流DRAM厂商均已推出相应的LPDDR4内存产品，预计2015年该产品将占据移动DRAM市场14%的份额，到2017年成为市场主流。

ROM芯片竞争格局稳定，32GB正逐步成为新门槛。美日韩垄断ROM存储芯片（NANDFlash）市场，呈现三分天下的发展格局。2014年，三星、东芝、闪迪、美光分别占据智能机ROM芯片31%、27%、19%和9%的市场份额。此外，随着屏幕分辨率、摄像头像素及手机整体性能的快速提升，ROM存储加速向32GB、64GB和128GB大容量升级。在整机设计方面，大部分国际厂商和部分国产品牌选择提供SD卡扩展功能，而苹果、三星S6、小米4及其他新兴品牌出于用户体验和口碑考虑，大多选择一体化设计，并提供32GB、64GB版本供用户选择。

移动存储芯片设计制造一体化成为主流。目前移动DRAM和ROM芯片的主要供应商均采取“设计制造”的发展模式，其中三星制造工艺最为领先，分别实现了20nm和14nm3D制程工艺的规模量产。以美国芯成半导体、韩国Fidelix为代表的Fabless厂商发展前景堪忧，已被整合并购。