继2017年DRAM，NAND Flash双双出现价量齐扬，推升全球半导体销售额强劲成长，并首度超越4,000亿美元大关之后，2018年DRAM，NAND Flash价格则呈现两涨情，出现一涨一跌的局面，其中的关键则是供给端的部分，特别是国际大厂是否突破制程瓶颈，将攸关整体市场的供需结构。

首先在DRAM市场方面，2018年三星将DRAM产线转换为影像感测器产线，使DRAM投片量减少，不过减少的部分将由华城16产线与平泽1厂二楼的增设投资弥补，但整体而言，2018年三星的新增DRAM产能仍是有限，加上SK Hynix的新厂产能恐须待2019年才可望量产，甚至来自于中国DRAM产能的开出，仍有相当的疑虑，因而2018年全球DRAM供给端的增加依旧在可控制的范围内。而2018年全球DRAM需求端除手机配备持续提高之外，资料中心布建需求亦是推动来源，更重要的是，虽然中国对于挖矿热祭出重罚，不过比特大陆将推出以太矿机，一个特殊应用积体电路晶片就需搭载172颗1 GB的DDR3晶粒，借以提升运算效能来看，仍有利于2018年全球DRAM的需求表现。

综而言之，由于2018年底前国际三大DRAM厂新产能开出极为有限，仅靠制程微缩增加的部分，因此2018年以来全球DRAM价格仍延续2016年下半年以来上扬的走势，不管是首季或是第二季，DRAM价格季增率均达到5?10％，显然DRAM市况优于年初预期。

另外2018年DRAM市场值得留意的尚有中国发展的态势，尽管中国在无技术授权来源，记忆体人才短缺之下，2018年底?2019年中国要进入记忆体国产化的量产恐有疑虑;不过为此，中国官方也频频出招，即中国反垄断机构已经盯上三星，SK海力士与美光等三家DRAM大厂，甚至传出恐面临8亿?80亿美元的罚款，表面上虽然在解决中国终端应用厂商面临记忆体飙涨的窘境，但实际上恐是预留未来中国记忆体厂争取谈判的筹码;事实上，因先前中国智慧型手机企业饱受记忆体产品短缺的困恼，且记忆体对国家资讯安全的重要性高，更何况记忆体为中国实现半导体自给率提升的重要关键产品，特别是受到中兴电讯事件的影响，更加激起对岸发展半导体核心产品的动能，故中长期来说，中国势必会竭尽所能积极发展记忆体，此决心仍不容忽视。

其次在NAND FLASH市场方面，尽管受惠于智慧型手机支持容量与服务器需求的带动，以及SSD的渗透率提高，拉抬对NAND Flash的需求，但2018年以来全球NAND Flash市场已呈现供过于求的局面，主要是国际大厂加速更高层堆迭及四阶储存单元（QLC）产品开发，以求提升3D NAND储存密度及降低生产成本，故以32G（4G * 8）MLC（美元/个）收盘价而言，则由2017年8月的3.10美元/个降至2018年5月的2.74美元/个，甚至2018年第三季全球NAND价格恐难以反转向上，主要系因更多64层和72层3D NAND产能相继释出，甚至单颗容量更大，成本更具竞争力的3D-QLC Flash技术，预计最快2018年下半迈入量产所致。

值得一提的是，东芝记忆体标售案已于2018年5月中旬获得中国核准，整体交易案确定于2018年6月1日完成，也意谓Bain Capital，SK Hynix，日本政策投资银行DBJ）及日本产业革新机构（INCJ）等将陆续入主，美日韩联盟俨然成立，但复杂的股权交易与多头马车式资本组成，是否能有效提升Toshiba记忆体全球NAND Flash的市场竞争力，以及未来东芝记忆体如何与WD继续合作，运用此结盟关系，将有待后续观察。