8月7日，长江存储公布了其新开发的3D NAND架构Xtacking的技术细节。该技术将为3D NAND闪存带来更优的I/O性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。　　

　　采用Xtacking可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
　　传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
　　Xtacking技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。
　　长江存储首席执行官杨士宁表示：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术我们有望大幅提升NAND  I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”
　　2019年将进入量产阶段
　　长江存储表示，已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的合作，Xtacking技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域，并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。
　　日前，紫光集团曾经透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。此外，64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，计划2019年实现量产。那么，本次发布的Xtacking技术预计将在64层3D NAND闪存芯片中得到应用。
　　长江存储于2016年7月由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资成立，按照国家存储器基地项目规划，长江存储的主要产品为3D NAND，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建，初期投片不超过1万片，用于生产32层 3D NAND Flash产品，并预计于自家64层技术成熟后，再视情况拟定第2、3期生产计划。
　　紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调，未来十年，紫光计划至少将投资1000亿美元用于长江存储项目研发，相当于平均每年投入100亿美元。