半导体设备贸易集团SEMI的数据显示，2018年全球芯片制造(晶圆厂)装备支出将增加14%至628亿美元，预计2019年将增长7.5%至675亿美元。
　　这是一个大问题，因为尖端晶圆厂(芯片制造工厂的缩写)的成本飙升至超过100亿美元，并且该行业在继续推进摩尔定律方面遇到了挑战，即每隔几年，芯片的晶体管数量增加一倍。
　　根据SEMI今日发布的最新世界晶圆厂预测报告，SEMI表示，2019年将是该行业历史上连续第四年的支出增长和晶圆厂设备投资最高的年度。新晶圆厂建设投资也接近创纪录水平，预计连续第四年增长，明年资本支出接近170亿美元。
　　

　　预测显示，随着众多新晶圆厂的出现显着增加了设备需求，晶圆厂技术和产品升级以及额外产能的投资将会增加。
　　世界晶圆厂预测报告目前追踪78个新工厂和线路已经开始或将在2017年至2020年开始建设，最终将需要超过2200亿美元的晶圆厂设备。在此期间，这些晶圆厂和生产线的建设支出预计将达到530亿美元。
　　预计韩国将以630亿美元领先其他地区的晶圆厂设备投资，仅比第二名中国高出10亿美元。预计中国台湾地区将以400亿美元获得第三名，其次是日本220亿美元，美洲150亿美元。欧洲和东南亚将共享第六名，每项投资总额为80亿美元。这些晶圆厂中约有60%将服务于存储器领域(其中最大的部分将是3D NAND闪存，用于存储在智能手机和数据中心)，还有三分之一将用于代工或合同芯片制造。
　　据报道，3D NAND闪存的容量将增加最多，2018年增长41%，2019年增长27%。2018年，铸造产能增长稳定在3%，2019年为6%;200m芯片产能今年将增长4%，2019年增长3%
　　在2017年至2020年开工建设的78个晶圆厂建设项目中，59个在前两年(2017年和2018年)开始建设，而预计19个在跟踪期的最后两年(2019年和2020年)开始建设。
　　SEMI表示，装配一个新工厂通常需要一到一年半的时间，尽管一些工厂需要两年时间而其他工厂需要更长时间，这取决于公司、工厂规模、产品类型和地区等各种因素。预计2200亿美元中约有一半将用于2017年和2020年，2017年和2018年投资不到10%，2019年和2020年投入近40%，其余则在2020年之后。
　　从新工厂/建筑开支来看，2018年，有72个建设项目，投资总额达150亿美元，同比增长23%。建筑支出将达到历史最高水平，中国在2018年继续领先70亿美元，打破了另一项纪录;之前的地区记录是韩国的30亿美元。中国的建筑支出预计将在2019年超过40亿美元，但预计韩国明年将花费近60亿美元。
　　2018年的大部分建筑支出将用于内存(略低于90亿美元)，主要用于3D NAND闪存，其次是DRAM。第二，建筑支出是铸造工厂(略低于50亿美元)
　　虽然2200亿美元的估计是基于已知和宣布的晶圆厂计划的当前见解，但总支出可能会超过这个水平，因为许多公司继续宣布新晶圆厂的计划。自上季度报告发布以来，已有18条新记录——所有新工厂 —— 都被添加到预测中。