2018下半年，内存市场的行情与上半年截然相反，过山车式的降价仍未见底，业内看待明年市场是顾虑重重。据外资花旗银行报告表示，2019年NAND Flash方面将会降价45%，DRAM 则降价30%，至少会持续到年中。对于内存大厂来说，这无疑是个警讯。

面对内存市场的急剧反转，三星表示，将持续强化晶圆代工的发展，并力争在2020年量产 3 纳米产品，赶超台积电。

据外媒报导，三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung表示，三星已完成3纳米制程技术的性能验证，正在进一步完善制程技术，目标是2020年大规模量产。倘若如期实现量产，这将会比台积电计划量产的2022年还要早两年。

目前全球晶圆代工市场几乎是台积电一家独大，占据了全球市场的60%市占率。不仅营收远超于其它厂商，台积电还掌握了最先进的7纳米制程工艺，包揽了未来一两年内7纳米产品的全部订单。三星想在7纳米的赛道上追上台积电，难度比较大，所以才把目光放在更先进的3纳米制程工艺上。

说起来容易，做起来难。首先，芯片技术革新不可能一步登天，三星在7纳米制程节点上已经落后太多，技术仍需要补齐；其次，发展晶圆代工需要大量的资金，当前内存市场面临大降价，三星也难独善其身；接着，对手也非省油的灯，台积电除了准备投资新台币6000亿建立新工厂外，还与众多厂商合作，建立起生态体系。最后，芯片制程技术并非谁先推出，谁就有优势，届时还需要对比各自的良率表现。

综上所述，三星3纳米制程能否赶超台积电，恐怕还有变数。我们拭目以待吧！