一台电脑“卡不卡”，运行流不流畅，不仅是要看CPU的运算能力，还需要看“内存条”够不够快。
　　过去20年间，CPU性能以每年 60%的增速提升，而内存性能增速每年只有 7%，两者间的性能差距越来越大，严重制约了服务器系统整体性能的提升。
　　而令人惊喜的是，最新一代的高性能DDR内存缓冲控制芯片已经由上海一家企业研发完成。此举不仅有望释放内存市场性能需求，更有可能改变国际产业链的固定竞争格局。
　　5月15日举行的上海市科学技术奖励大会上，由澜起科技完成的高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术获得技术发明奖一等奖。
　　内存接口芯片是服务器内存模组（又称“内存条”）的核心逻辑器件，作为服务器CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。
　　和旧规格的DDR内存接口芯片不同，澜起科技为CPU与内存间的数据交换搭建了一条“高速公路”，提高了内存数据读写带宽，改善了服务器性能。
　　这一提升是如何实现的？
　　澜起科技董事长杨崇和介绍，他们设计的“1 9”分布式缓冲内存子系统框架，突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计，创新性采用1颗寄存缓冲控制器为核心、9颗数据缓冲器芯片的分布结构布局，大幅减少了CPU与DRAM 颗粒间的负载，降低了信号传输损耗，解决了内存子系统大容量与高速度之间的矛盾。
　　在高速电路设计方面，澜起科技还发明了一种高速、低抖动电路及内存接口算法，解决了多多点通讯、突发模式下内存总线的信号完整性问题；并发明一种自适应电源管理电路，并采用动态时钟分配等低功耗技术，实现业界最低功耗。
　　这三项技术突破，解决了上一代内存在功耗、带宽之间的矛盾。
　　集中电路设计，一直是中国信息化上的一座高山。
　　澜起科技此番的技术突破，意义不言自明。目前，由其研发的该型号芯片具有完全自主知识产权，其中包括国际行业标准2项，项目授权发明专利40项，一级美国专利23项。
　　有专家评价称，课题的实施突破了一系列关键技术，极大地提升了我国在DDR内存领域的 芯片设计水平，标志着我国在DDR存储控制器芯片领域迈出了坚实的一步。同时也打破了国际大公司在高端服务器领域核心芯片的垄断，填补了国内企业在该领域无“芯”的空白。
　　中国科学院黄如院士评价称，“填补了国内企业在该领域无芯的空白，改变 了产业链的国际竞争格局”。
　　据悉，目前，该DDR4芯片面向全球市场，主要客户为世界知名的内存厂商、服务器厂商等国际一流品牌商，2018年全球市场占有率接近50%，实现销售收入数十亿元。